（ALD）原子層沉積設備制造理想之選-西特Model730真空計

  （ALD）原子層沉積設備制造理想之選-西特Model730真空計。ALD--Atomic Layer Deposition 原子層沉積,是在基底材料表面制備原子級別的沉積層. 而ALD關鍵技術需要**控制工藝的環(huán)境參數(shù)，其反應器壓力需要嚴格保持在合適的真空條件下，此時通過對反應物的時序脈沖噴射，才能達到準確沉積的效果。借助于Setra（西特）在電容式壓力測量領域逾50年的經(jīng)驗積累， 730型真空電容式壓力計無論從產(chǎn)品設計、制造工藝、品質管理，還是從成本控制等諸多方面，都是ALD設備制造商的理想之選。

    Setra（西特）730型真空電容式壓力計是一款高精度的電容式壓力計（亦稱電容式膜片真空計 (CDG)），（ALD）原子層沉積設備制造理想之選-西特Model730真空計-適合在光伏、半導體和工業(yè)市場中測量對過程控制至關重要的低真空范圍。該產(chǎn)品讀數(shù)精度達±0.5%，分辨率高，優(yōu)于同類產(chǎn)品。730 型使用全InconelTM 接液材料，可承受半導體加工過程中的腐蝕性介質。由于采用直接測量設計，它能**測量介質，不受應用中氣體混合物成分的影響。

   （ALD）原子層沉積設備制造理想之選-（ALD）原子層沉積設備制造理想之選-西特Model730真空計特點：適合苛刻應用的高性能產(chǎn)品采用單膜片可變電容感應元件，適用于苛刻的半導體和工業(yè)真空應用。它具有讀數(shù)精度和分辨率高、動態(tài)范圍寬的特點，使之成為關鍵制造過程中的理想選擇。Inconel® 設計保證通用性 確保730型在這類應用中的長使用壽命。直接壓力測量內(nèi)置膜片可在使用點直接測量壓力變化。與其他工業(yè)電容式壓力計不同，（ALD）原子層沉積設備制造理想之選-西特Model730真空計， 不受被測混合氣的影響，這使其精度優(yōu)于間接測量型壓力計。

  ALD科普（（ALD）原子層沉積設備制造理想之選-西特Model730真空計）：ALD—Atomic Layer Deposition原子層沉積，是在基底材料表面制備原子級別的沉積層，這種沉積技術可廣泛服務于各類半導體、光學、光電和電池材料的研究，且已經(jīng)在相當多的IC器件、MEMS、傳感器等生產(chǎn)工藝中發(fā)揮了巨大的效用。相較于CVD(化學氣相沉積)技術，ALD提供了更為**的沉積層—自飽和的表面產(chǎn)物，厚度可控制在只有一層原子。如果說CVD是在地面攤了一層水泥砂漿，ALD則是把水泥、砂分別均勻上乘的涂敷在了材料上，沒有任何瑕疵。這種更為精準的層沉積技術為材料帶來的性能提升是不言而喻的。比如借助這種技術處理過的光電材料可使*終的光電轉換效率提升超過10%。用于FPD等光學顯像玻璃時，可使成品亮度、對比度等關鍵性能大幅度提升。

  （ALD）原子層沉積設備制造理想之選-西特Model730真空計屬于西特壓力傳感器（Setra真空計）。